1纳米争夺战打响三星计划2030年量产1纳米工艺

进入2026年后，三星晶圆代工业务似乎迎来了重要的转折点。近期，其在2纳米制程节点的开发工作以及与客户的订单谈判均展现出积极进展。根据最新消息，三星的2纳米GAA（全环绕栅极）工艺持续取得突破，目前良率已提升至60%，距离70%的目标更近了一步。

据TrendForce报道，三星正加大对先进半导体技术的投资力度，计划在2030年前完成1纳米制程节点的开发，并在同年实现量产，以抢占下一代制程技术代工市场的领导地位。与此同时，三星还致力于深耕2纳米制程节点，扩展不同细分工艺的阵容，从而进一步吸引关键客户。

在1纳米制程节点上，三星预计将采用全新的晶体管架构，引入“Forksheet”（叉片）晶体管结构。三星自3纳米制程节点起引入了GAA（全环绕栅极）晶体管结构，将电流路径从原有的三个面扩展至四个面，从而最大化了功耗效率。而Forksheet则是在此基础上的演进，通过使用叉形片层技术在晶体管之间添加绝缘墙，缩小了晶体管间的间距。通过消除无效空间，同一芯片面积内可容纳更多晶体管。

去年，三星在韩国首尔举办的SAFE 2025活动上展示了第三代2纳米工艺，命名为“SF2P+”。此外，针对特斯拉的AI6芯片，三星正在开发一种定制化工艺，称为“SF2T”。三星计划今年开始部署第三代2纳米工艺，即SF2P，并计划于明年推出SF2P+。