消息称三星电子有望时隔5年再度大规模投资NAND闪存新产能

4 月 17 日消息，据韩国媒体 the bell 于当地时间本月 14 日报道，三星电子可能时隔五年对 NAND 闪存新产能进行大规模投资，计划在平泽 P5 晶圆厂内建设一条 NAND 生产线。

自 2022 年平泽 P3 晶圆厂投产以来，三星电子未在 NAND 领域进行重大资金投入，其存储器业务的关注重点主要集中在 DRAM 方面。目前，NAND 市场供应明显不足，这推动了产品价格上涨；同时，随着人工智能产业的不断发展，客户对高性能、大容量固态硬盘的需求预计将继续增长。

平泽 P5 晶圆厂为三层结构的大型设施，每层配备两个洁净室，因此总共包含 6 个生产阶段（PH）。三星电子正考虑将 P5 的一个 PH 用于 NAND 制造，而 P5 的 PH1 则计划用于生产 1c 纳米级别的 DRAM 工艺。报道还指出，三星电子有意在 P5 附近再建造一座相同配置的 6 阶段大型晶圆厂。

来源：IT之家