台积电开始规划1nm及以下工艺生产线计划2029年试产

根据媒体报道，在最近举行的季度财报法人说明会上，台积电公开了关于1纳米及以下工艺生产线的相关计划。

台积电计划在中国台湾台南地区设立A10晶圆厂，其中P1至P4厂区将专门用于研发和制造1纳米及以下的先进制程技术，预计从2029年开始试产，初期每个月的产能约为5000片晶圆。

在美国亚利桑那州凤凰城的Fab 21工厂，未来的P3、P4和P5厂区将分别用于生产2纳米、A16和A14工艺的产品。台积电还在该区域附近规划了6个额外厂区，总共将建设11座晶圆厂。

其中，第一座先进封装厂计划在今年下半年开工建设，目标是在2028年投入运营，初期会采用SoIC和CoWoS两种先进封装技术。

台积电同时确认，下一代先进封装技术是CoPoS，这是对CoWoS技术的“面板化”升级方案。不过，这项技术的开发进展比预想中要困难，所需时间也比外界预期更长，这让台积电采取了更谨慎的态度。

供应链相关人士指出，CoPoS技术当前面临的主要挑战集中在“均匀度”和“翘曲”等工艺问题上。

对于英特尔近期宣布加入埃隆·马斯克之前公布的TeraFab项目，台积电也作出了回应。

台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示，台积电将英特尔视为强劲的竞争对手，从未低估对方，但晶圆代工行业没有捷径，基本规则永远不会改变。

来源：快科技