台积电：美国芯片厂良率与本土相当再转移2大核心技术到美国

在近期举行的北美技术大会上，台积电除了公布A13、A12以及N2U等新一代工艺技术外，还详细介绍了其在美国的芯片产业布局策略。

针对在美国设厂的问题，业界长久以来的担忧是高昂成本可能压缩台积电的利润空间，而这一影响主要通过良率来体现。台积电CEO魏哲家透露，台积电位于美国亚利桑那州的芯片工厂进展顺利，其良率已与本土工厂的水平相当。

他未提供具体数据，但指出该美国工厂目前主要生产4nm工艺芯片，这属于台积电较为成熟和稳定的技术节点。

台积电在美国的芯片投资总额预计将达到1650亿美元，并且第二座晶圆厂正在建设中，计划于明年投入运营。

台积电向美国转移先进芯片产能并非一蹴而就的过程。目前，在美国生产的芯片仍需运回台湾本土工厂进行封装，因为美国工厂尚未掌握先进封装技术。

为解决这一问题，台积电接下来计划在美国建设先进封装工厂，将CoWoS和3D-IC这两项核心封装技术转移到美国。台积电全球业务资深副总及副共同运营长张晓强已确认，将在2029年前于美国建成封装厂。

CoWoS与3D-IC尽管属于封装技术，但其技术复杂性和加工成本并不亚于先进工艺。苹果、英伟达、AMD等公司的高端CPU和GPU都离不开这些技术，甚至相比单纯的先进工艺，它们更容易导致产能瓶颈。

未来，一旦美国芯片工厂实现先进工艺制造、封装与测试的一体化，再结合美国原本强大的芯片设计能力，半导体全产业链的优势将得到恢复，其意义非同凡响。

来源：快科技