在近期举行的北美技术研讨会上,台积电公布了A13和A12两款新工艺,它们都计划于2029年推出,属于A14节点的改进版本。
更为关键的是,台积电此次正式回应了对下一代EUV光刻机的看法,其CEO魏哲家明确表示,公司不会采购High NA EUV光刻机。
这一声明导致唯一能制造EUV光刻机的ASML公司股价暴跌5.5个百分点。目前ASML市值超过4600亿美元,过去一年股价翻了一番,今年也已上涨超过30%。
台积电不采购的直接原因是价格过高。High NA EUV光刻机的售价高达3.5亿欧元,约合4亿美元,是当前EUV光刻机价格的两倍左右。
台积电创始人张忠谋对此评价道,High NA EUV光刻机“非常非常昂贵”。
然而,仔细分析后,台积电不采购这种光刻机的说法值得进一步探讨。该公司每年的资本开支约为500亿美元,今年可能增长到560亿美元,即使High NA EUV光刻机贵了2亿美元,一条生产线的成本增幅也不会太大。
这更像是一种商业考量,因为台积电已将长期毛利率目标设定在56%以上。此前,台积电的目标仅为约50%。不要小看这几个百分点的差异,它很快会转化为每年50至100亿美元的利润差别。
结合台积电推出的A13和A12工艺,就能更清楚理解其意图。原本在A14工艺之后应为A10工艺,但如今却新增了两个过渡工艺,且性能提升不会很明显。台积电甚至没有明确提及性能和功耗变化,仅表示A13相比A14芯片面积可缩减约6%。
High NA EUV光刻机的数值孔径(NA)为0.55,远高于当前EUV光刻机的0.33,这有助于提高光刻分辨率,直接增强工艺能力。该设备是1.4纳米节点之后的必要工具,但台积电显然不愿借助High NA EUV光刻机来推进技术,而是计划继续使用现有EUV光刻机打磨A14工艺,以此支撑数年。
ASML此前预计,High NA EUV光刻机将在2027至2028年间大规模销售,并将2030年营收目标设定为600亿美元。如今台积电拒绝了这一设备,该目标实现起来可能面临困难。
High NA EUV光刻机的主要客户将转向英特尔。ASML预计明年可销售10台High NA EUV光刻机,其中2台由SK海力士购买,其余大部分由英特尔采购。英特尔计划将这些设备用于18A之后的14A工艺。
英特尔此前在EUV光刻机进度上落后,如今选择加大对下一代High NA EUV光刻机的投资,而台积电则采取了更保守的策略。两家企业孰对孰错目前无法判断,三四年后,根据谁的工艺能赢得更多客户,才能分出胜负。
来源:快科技
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