国产重大突破！寒序科技实现亚洲首个8nmeMRAMAI芯片流片

据媒体报道，国产人工智能芯片企业寒序科技ICY Tech宣布，已联合三星生态设计合作伙伴SEMIFIVE，基于三星8纳米eMRAM工艺成功完成边缘AI芯片的流片。

这是亚洲首个8纳米嵌入式MRAM（eMRAM）商业化部署案例，由寒序科技主导底层核心技术研发，标志着国产AI芯片在先进存储与存算架构领域取得了重大突破。

作为项目的核心技术供应方，寒序科技凭借其在MRAM定制开发与存算架构方面的深厚积累，成功进入了三星稀缺的8纳米eMRAM工艺窗口。

与常规ASIC项目不同，寒序科技全程主导了MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出电路以及大模型推理算子加速等底层方案的设计；而SEMIFIVE则负责后端硅实现和MPW流片支持。

双方形成了“底层架构自研加国际生态落地”的独特合作模式，完全摆脱了标准IP调用的局限性。

在技术层面，寒序科技创新性地采用了“MRAM加SRAM”混合存储架构，直击传统AI芯片面临的“内存墙”痛点。

该方案通过eMRAM替代大规模片上SRAM，有效解决了工艺微缩后SRAM面积效率低和功耗高的问题；同时结合近内存处理（PNM）架构与GEMV计算，加速了Transformer推理中的关键算子。

这款芯片能够支持20亿参数大模型的端侧运行，性能对标国际顶尖推理芯片路线，并在存储密度与能效比方面实现了超越。

该芯片主要聚焦于私有AI智能体、人形机器人等端侧场景，同时也能适配具身智能与云端推理中心，作为GPU或HBM体系之外的高能效推理加速模块。

eMRAM兼具非易失性、高带宽和低功耗等特性，无需刷新即可长期保存数据，单元尺寸远小于SRAM，特别适用于功耗与空间受限的边缘设备，为国产端侧AI应用提供了核心算力支撑。

此次流片成功，是寒序科技依托北京大学物理学院应用磁学中心的技术积淀，在自旋电子学与存算一体领域取得的重要成果。

来源：快科技