英诺赛科胜诉：ITC终裁确认可继续在美进口、销售GaN功率器件，不受英飞凌诉讼影响

5月8日最新消息，英诺赛科对外宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在针对第337‑TA‑1414号调查的最终裁决中，明确认定英诺赛科现有的氮化镓（GaN）功率器件产品并未侵犯英飞凌的相关专利权，因此该公司可以继续在美国市场自由进口和销售其产品，不会受到任何限制。

需要补充的是，英诺赛科是一家总部位于广东珠海的氮化镓器件制造商，主要业务涵盖高低压氮化镓电源集成电路、功率半导体等领域。在2024年底，该公司成功在中国香港联合交易所主板上市，这标志着国内首家氮化镓半导体企业在资本市场正式亮相。

图为英诺赛科推出的氮化镓系列产品。

在本次调查中，ITC全体委员一致裁定，英诺赛科当前销售的产品未侵犯英飞凌持有的两项美国专利，具体包括涉及电极设计的第9,070,755号专利以及涉及封装设计的第9,899,481号专利。

英诺赛科进一步说明，委员会仅认定第9,899,481号专利中的两项权利要求有效，同时这些权利要求仅被英诺赛科早已停产并终止销售的历史旧产品涉嫌侵权。因此，相关进口和销售禁令对英诺赛科在美国的现有业务影响微乎其微。该公司强调，将继续稳定地向美国及全球市场供应其现有的氮化镓功率产品，确保客户需求得到满足。

信息参考自IT之家报道。