三星研发移动端HBM：引入FOWLP封装数据带宽将提升30

韩国半导体巨头三星电子正全力开发一款专为智能手机和平板电脑设计的移动端HBM芯片技术，旨在将移动设备转变为功能强大的端侧人工智能工具。

近期全球内存市场持续供不应求，三星在获得可观利润后，迅速着手布局这一全新的市场领域。

传统移动端DRAM采用铜线键合技术，输入输出接口端子限在128个至256个之间，这在提升效率和控制发热时会导致显著信号损耗。

为应对移动设备内部空间和功耗限制带来的严峻挑战，三星计划在移动端HBM芯片中引入超高纵横比铜柱技术和扇出型晶圆级封装工艺。

这种封装工艺与三星即将推出的Exynos 2600等旗舰级手机处理器芯片所使用的复杂封装方式一致，可显著提升芯片的耐热性，并增强设备在长时间高负荷工作下的性能稳定性。

在核心技术突破方面，三星采用垂直铜柱堆叠技术，将内存芯片以阶梯式结构垂直堆叠，并用铜柱填充芯片间微小间隙。

三星已将这种封装工艺中的铜柱纵横比从之前的3:1至5:1大幅提升到15:1至20:1，从而实现数据带宽的跳跃式增长。

然而，这种激进设计使铜柱直径缩小，一旦低于10微米，铜柱结构在制造或使用中极易发生弯曲或完全断裂。

此时，扇出型晶圆级封装技术发挥作用。它通过将引脚与铜线向外延伸，不仅增强芯片整体的物理结构完整性，还大幅增加输入输出接口数量，使数据带宽在原有基础上直接提升30%。

从当前产品规划与量产时间线来看，该技术仍处于秘密研发阶段。根据现有产品路线图预测，三星很可能将其首次应用于搭载全自研GPU的旗舰芯片Exynos 2800或后续的Exynos 2900处理器上。

同时，其他行业巨头也在密切关注移动端HBM技术。苹果计划在未来iPhone中引入该内存技术，华为也在积极探索其可行性。

业内人士分析，由于目前移动端动态随机存取内存价格居高不下，只有当HBM生产工艺完全成熟、成本和价格回归稳定区间后，智能手机厂商才可能开始大规模推广。

如果未来几年内存价格持续走高，移动设备的端侧人工智能升级可能仍将局限于处理器芯片和闪存方面的常规迭代。

来源：快科技