根据公开报道,历经165天,从申请受理到注册生效,国产DRAM龙头企业长鑫科技即将迈入资本市场。中国证监会官方网站近日发布信息,已批准长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票的注册申请。
作为科创板首个经过“预先审阅”机制的项目,长鑫科技计划募集资金高达295亿元,这一金额已经超过了中芯国际在科创板首次公开募股时的计划募资额,不过中芯国际实际募资金额则达到了532.3亿元。
经过十年的发展历程,长鑫科技逐步突破了海外技术封锁,成功进入全球主要DRAM芯片制造商的行列。根据Omdia研究机构的数据,按照2025年第四季度的出货额计算,长鑫科技在全球的市场占有率已经提升至7.67%,并且随着技术的进步和产能的扩充,其市场份额还有望进一步提高。
在同期市场中,三星电子、SK海力士以及美光科技的市场占有率分别为33.96%、34.48%和23.41%,这三家企业合计占据了全球市场超过90%的份额。
由于算力需求和存储需求的持续增长,长鑫科技提前实现了盈利目标。今年第一季度,公司的经营业绩显著加速:实现营业收入508亿元,相比去年同期大幅增长了719.13%;归属于上市公司股东的净利润为247.62亿元;扣除非经常性损益后的净利润为263.41亿元。
长鑫科技的营业收入和归母净利润规模不仅在科创板上市公司中位列第一,在整个A股市场中也排名第13位。公司预测,在2026年上半年,其营业收入有望达到1100亿元至1200亿元,同比增长612.53%到677.31%;净利润预计在660亿元至750亿元之间,而归属于股东的净利润则预计在500亿元至570亿元之间。
长鑫科技方面表示,随着生产能力的持续释放,公司的整体规模正在迅速追赶全球前三大存储芯片厂商,市场竞争力不断增强。同时,由于产品销量保持高速增长,公司已经具备了较强的抵御市场周期波动的能力。在当前市场前景向好的预期下,公司预计在2026年或2027年实现盈利的说法,既存在合理性也符合审慎原则。
值得留意的是,在长鑫科技科创板上市进程取得关键突破的同时,另一家国内存储芯片IDM制造商——长江存储,作为国内唯一的3D NAND闪存芯片原厂,近期也完成了上市辅导备案工作,正式启动了在A股上市的进程。
根据Counterpoint市场调研机构的数据,长江存储在NAND闪存市场的份额已从去年第一季度的8%提升至第四季度的11%。在同一时期,三星、SK海力士、美光、铠侠以及闪迪的市场占有率分别为27%、22%、13%、15%和13%。
随着这两家国产存储芯片原厂相继筹备上市,其产能扩建项目有望获得更多资金支持,从而带动整个国产存储产业链的价值被市场重新评估和提升。
消息来源:快科技
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