全球首个！三星成功研发900层超高堆叠3DNAND闪存原型

5月25日消息，据当地媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合CMB技术，成功将两片450层3D NAND连接在一起，打造出全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型。这款样品的存储单元工作特性已通过验证。

该项技术的核心在于两片450层晶圆的垂直整合，从而突破了传统单次堆叠工艺的极限。

三星自主研发的“上部卡盘”技术，有效解决了高层堆叠过程中晶圆翘曲的难题。此外，新型套刻校正技术将键合对准误差控制在纳米级别，为良品率提供了可靠保障。

与此同时，三星优化了位线BL与字线WL的结构设计，在提升存储密度的同时，还降低了芯片的功耗和尺寸。

作为AI服务器、数据中心SSD以及高端手机存储的核心组件，3D NAND的层数直接决定了存储密度的高低。

在当前量产市场中，SK海力士以321层4D NAND技术处于领先地位。三星计划在今年年内量产400层以上的第十代V-NAND，而此次推出的900层原型进一步拉大了技术差距。

来源：快科技